9月9日，爱普科技宣布，其新一代PSRAM—ApSRAMTM (Attached-pSRAM)已通过客户平台验证，预计将于年底开始量产。ApSRAMTM为爱普科技虚拟静态随机存取存储芯片(PSRAM)再进阶版本，采用全新架构设计，专为边缘计算与物联网应用打造，提供低功耗、低延迟的高性能存储芯片方案。

　　爱普科技的ApSRAMTM采用更直觉的控制接口，无需复杂的信号校正程序，即能有效支持更高带宽的需求。相较于现行的PSRAM，ApSRAMTM的带宽提升达四倍，动态功耗减少至原来的五分之一。特别适用于重视电池续航的穿戴设备与边缘计算应用，满足新世代智能终端对低功耗与实时数据交换的双重需求。

　　此外，ApSRAMTM支持存储芯片容量升级，SoC可在不更改设计的情况下，依应用需求弹性扩充容量。产品容量涵盖从128Mb到2Gb，I/O电压支持0.6V至1.1V，满足各种逻辑制程需求，简化系统设计。目前首款ApSRAMTM已进入产品送样阶段，预计于年底量产，后续将陆续推出更多容量选项，满足多元应用与市场需求。

　　爱普科技副总经理薛泽源表示，当存储芯片产品摆脱标准化的限制后，事实上能开展出更多创新可能。ApSRAMTM即是在这样的思维下诞生的一大突破。未来，ApSRAMTM将成为物联网、穿戴设备、边缘计算等新世代应用的理想选择。爱普科技也将持续深耕存储芯片与封装整合技术，透过产品差异化，协助全球客户打造高性能、低功耗且具市场竞争力的产品方案。